미래 반도체 소자 연구실
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미래전자소자 연구실에서는 학석연계과정, 석사과정을 희망하는 학생을 모집합니다. 본 연구실에서는 저차원 반도체 구조를 이용한 전계효과 트렌지스터를 연구하며, 반도체 소자설계, 에피성장, 소자공정, 특성평가 기술을 연구하며 이 모든 분야에 배경지식을 보유한 반도체 분야 융합형 고급 인력 양성을 목표로 연구를 수행하고 있습니다.
[진행중인 연구 과제]
1. 민관공동투자반도체고급인력양성사업: Super Steep Subthreshold Swing 미래소자용 나노구조소재합성 및 소자공정 원천기술 개발
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전산모사 기반 저차원 소재 이종접합구조(1D-3D/2D-3D)및 채널소자 특성 예측기술 개발
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MOCVD를 이용한 저차원소재 합성 및 물성평가기술개발
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MOCVD를 이용한 III-V 화합물반도체 에피구조 성장 및 물성평가
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저차원 소재 이종접합구조 채널소자 공정 및 특성평가 기술
2. 미래도전연구사업: 근적외선 대역 단일광자검출기 핵심기술확보 및 국산화를 위한 연구
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InGaAs 기반 Avalanche Photodetector(APD) 설계 및 성장
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InGaAs APD 단위공정 기술개발(Diffusion 도핑확산 기술, 표면연마 및 무반사 코팅막 제작기술, 누설전류 방지막 제작기술, 메탈-반도체 오믹접합 형성기술 등)
[지원방법]
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jcshin@dgu.ac.kr(신재철 교수) 이메일로 일정 예약 후 상담 진행
차세대 반도체 전자소자 용 채널소자 연구개발을 통해 반도체 소재, 공정기술과 설계기술 전 분야에 배경지식을 습득하고 관련 분야 대기업에 취업하여 한국 반도체 산업의 미래를 이끌 연구인력이 되실 학생분들 환영합니다!
Division of Electronics and Electrical Engineering, Dongguk University 30, Pildong-ro 1-gil, Jung-gu, Seoul 04620, KOREA
02-2260-3588
Research Position Opening
We seek highly motivated graduate students to conduct research in the field of nanostructured semiconductor materials and optoelectronic devices. The graduate student mainly grow III-V based optoelectronic devices (e.g., infrared photodetector, lasers etc.) using metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) reactor. This includes conducting device fabrication and characterization. Demonstrated creativity and independent research ability are preferred. Financial support will be provided from the government research project.
Research areas:
Crystal growth of III-V semiconductor using MOCVD
Fabrication of semiconductor devices using cleanroom facilities
Optical and electrical characterization of III-V semiconductor devices
Contact information:
Jae Cheol Shin, Professor
Division of Electrical and Electronics engineering, Dongguk University
E-mail: jcshin@dgu.ac.kr